Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM)

Прорыв осуществлен в рамках сотрудничества между Numonyx и Intel. В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти. 

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря данному нововведению стало возможным создание многослойной памяти.

Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи.

Более подробная информация будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory), представленном на  International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе (Мэриленд) 9 декабря. Его соавторами являются сотрудники Intel и Numonyx. Доклад будет представлен инженером Intel ДерЧаном Кау (DerChang Kau).

«Мы продолжаем разрабатывать новые технологии компьютерной памяти, расширяя возможности вычислительных систем, - рассказывает заслуженный исследователь Intel, директор по развитию технологий памяти Эл Фэзио (Al Fazio). –Благодаря новым технологиям, включая память на базе фазовых переходов, устройства хранения данных будут играть более важную роль в вычислительных системах будущего. Они позволяют увеличить быстродействие компьютеров».