Intel и Micron переходят на 20-нм техпроцесс и укрепляют лидерство на рынке флэш-памяти

Постоянное развитие цифровой экосистемы и непрерывное расширение функционала мобильных цифровых устройств требуют наличия накопителей все более высокой емкости. Новые микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБайт, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.

Новые чипы, выпускаемые IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron, являются настоящим прорывом в области проектирования и технологий производства NAND-памяти и укрепляют лидерство партнеров в данной сфере. Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации. 

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка США.

«Тесная работа с заказчиками - вот что придает продуктам Micron особую ценность. Работая в этом направлении, мы совершенствуем наши чипы, открывая все новые и новые перспективы на рынке устройств хранения данных, - говорит Глен Хоук (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. - Мы вновь показали способность к новаторству и перспективы роста - на этот раз шагнув к 20-нм технологии NAND-памяти, предложив нашим клиентам более дешевые и эффективные решения».

«Наша цель - предоставить недорогой доступ к миру информации, - добавил Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент, генеральный директор Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. - Достижения в сфере NAND-памяти дают Intel возможность предлагать клиентам качественные и эффективные решения. Совместное предприятие Intel и Micron иллюстрирует, каким должен быть бизнес, - ведь мы год за годом продолжаем возглавлять технологическую гонку, быстро переводя все наши фабрики от одной технологической нормы к следующей».