ТОКИО, 30 января 2017 г. – Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило сегодня о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии 5.1[1] с расширенным диапазоном рабочих температур от -40 до +105 °C. В новых изделиях используются кристаллы NAND, изготовленные по технологическому процессу 15 нм. Они предназначены для применения в промышленных устройствах, включая ПЛК[2], устройства CoM[3] и оборудование промышленной автоматики, а также могут использоваться в самых различных потребительских устройствах. В ассортименте представлены устройства емкостью 8, 16, 32 и 64 ГБ. Поставки ознакомительных образцов начинаются сегодня, а начало серийного производства запланировано на март 2017 года.
В новых устройствах кристаллы памяти NAND объединены с контроллером, что позволяет реализовать базовые функции управления памятью NAND в одном корпусе. Новые продукты дополняют существующую серию памяти e•MMC компании Toshiba для промышленного применения с диапазоном рабочих температур от -40 до +85 °C. Новая серия памяти e•MMC позволяет создавать изделия, в которых устройства хранения на основе памяти e•MMC должны работать при повышенных температурах до +105 °C. Такой расширенный диапазон обеспечивает большую свободу выбора при разработке устройств памяти для промышленных систем, работающих в условиях высоких температур. На рынке потребительских и промышленных устройств продолжает расти спрос на память e•MMC с возможностью работы при повышенных температурах для применения в системах, требующих высокой производительности и высокого энергопотребления. Для удовлетворения этого спроса компания Toshiba расширяет серию высокопроизводительных устройств памяти высокой плотности и будет по-прежнему занимать лидирующие позиции на рынке.
Главные особенности 1. Интерфейс, соответствующий требованиям JEDEC e•MMC версии 5.1, обеспечивает работу основных функций, в том числе управление блоком записи, коррекцию ошибок и программное обеспечение драйвера. Это упрощает разработку систем, позволяя производителям минимизировать расходы на проектирование и сократить время выхода на рынок новых и обновленных продуктов. Кроме того, возможности применения новых устройств расширены за счет добавления новых функций[4] стандарта JEDEC e•MMC версии 5.1, таких как BKOPS Control, Cache Barrier, Cache Flushing Report, Large RPMB Write и Command Queuing.
2. Диапазон рабочих температур от -40 до +105 °C.
Примечания [1] e•MMC™ — категория изделий для устройств встроенной памяти, разработанных в соответствии с требованиями стандарта JEDEC e•MMC. Обозначение является товарным знаком JEDEC Solid State Technology Association. [2] Программируемый логический контроллер. [3] Компьютер на модуле (computer-on-module). [4] BKOPS Сontrol — функция, позволяющая главному устройству разрешить устройству памяти выполнение операций в фоновом режиме при его бездействии. Cache Barrier — функция, управляющая временем записи данных кэша на чип памяти. Cache Flushing Report — функция, информирующая главное устройство о том, используется ли в устройстве памяти режим записи кэшированных данных FIFO (First In First Out), или нет. Large RPMB Write — функция, которая позволяет увеличить размер данных для записи в область RPMB до 8 КБ. Функция Command Queuing позволяет обрабатывать несколько задач для выполнения нескольких команд пользователя в заданной последовательности, предварительно помещая задачи в очередь ожидания. Это повышает производительность операций чтения с произвольным доступом примерно на 30 % (максимальная скорость) по данным исследования Toshiba.
*Маркировка изделий соответствует используемым микросхемам памяти, а не емкости для хранения данных, доступной конечному пользователю. Часть емкости зарезервирована для управления устройством. Смотрите технические характеристики или обратитесь к местному торговому представителю компании Toshiba. (В целях измерения емкости устройств памяти в этом контексте принимается 1 ГБ = 1 073 741 824 байта.)
