Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 и 45 В с ведущим в отрасли низким сопротивлением в открытом состоянии в своем классе

Дюссельдорф, Германия, 9 марта 2017 г. – Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представляет новые устройства на 40 и 45 В, обладающие ведущим в отрасли[1] низким сопротивлением в открытом состоянии в своем классе и высоким быстродействием. Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей.
 
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOS IX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать ведущее в отрасли[1] низкое сопротивление в открытом состоянии в своем классе и низкий выходной заряд и добиться эффективной и быстрой работы устройства. Максимальное значение RDS(ON) (при VGS = 10 В) составляет от 0,80 до 7,5 мОм в зависимости от устройства.
 
Новая структура позволяет снизить показатель добротности RDS(ON) * Qsw[2], повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba[3]. Потери на выходе снижаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе.
 
В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм x 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4,5 В.
 

Примечания
[1] В категории изделий с такими же номинальными характеристиками по состоянию на 9 декабря 2016 г. Данные исследования Toshiba.
[2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. Qsw: заряд переключения затвора.
[3] Изделия Toshiba на основе технологического процесса предыдущего поколения U-MOS VIII-H.