Полевые МОП-транзисторы Toshiba в корпусах с высоким рассеиванием мощности нацелены на удовлетворение потребностей зарядки при высоких токах

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала два сверхкомпактных полевых МОП-транзистора в корпусах с высоким рассеиванием мощности, разработанных специально для удовлетворения требований зарядки высоким током, предъявляемых современными мобильными устройствами. 

Полевые МОП-транзисторы SSM6K781G с N-каналом и SSM6J771G с P-каналом поставляются в миниатюрном (1,5 x 1,0 мм) корпусе чипа вафельного уровня (WCSP6C), с номиналом рассеиваемой мощности (PD) вплоть до 1,2 Вт. Корпус WCSP6C — оптимальный выбор для применений с минимальными доступными участками печатной платы, так как соотношение размера корпуса и коммутируемой мощности у WCSP6C превосходит показатели литых корпусов. Это делает новые полевые МОП-транзисторы идеальными для силового переключения в цепях зарядки современных планшетов, мобильных телефонов и других портативных устройств с ограниченными пространственными характеристиками, когда для минимизации значений времени зарядки требуются высокие токи. 

Предлагаемые компанией Toshiba новые устройства сочетают низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) с очень низкой емкостью и могут использоваться в конструкциях устройств зарядки батарей и преобразователей напряжения постоянного тока. Типовые номинальные значения RDS(ON) равны 14 миллиом (VGSS = 4,5 В) для SSM6K781G с N-каналом и 26 миллиом (VGSS = –4,5 В) для SSM6J771G с P-каналом.

Номинальный наибольший постоянный ток полевого МОП-транзистора SSM6K781G равен 7 A, тогда как SSM6J771G способен работать с токами до –5 A и предназначен специально для приложений с двухэлементной зарядкой благодаря его номинальному наибольшему напряжению затвор-исток VGSS = +/–12 В.