Информационный портал nnIT

Оригинал документа: http://nnit.ru/news20/no182395/


     
 

Toshiba выпускает модуль IEGT с напряжением 4500 В и током 1200 А

(Официальное сообщение компании (пресс-релиз))

Данный материал размещен пользователем сайта. Мнение редакции может не совпадать с мнением автора
01.06.2015 15:06
Модуль объединяет транзистор IEGT и диод в пластмассовом корпусе, позволяя повысить эффективность и снизить размеры и вес при создании импульсных устройств большой мощности

Компания Toshiba Electronics Europe выпускает силовой модуль с напряжением 4500 В и высоким током (1200 А) для использования в железнодорожных тяговых установках, системах управления промышленными электродвигателями, извлечения энергии из возобновляемых источников, а также в системах передачи и распределения электроэнергии. Устройство MG1200GXH1US61 (модуль IEGT в пластмассовом корпусе) содержит инжекционный транзистор с обогащенным затвором (IEGT) с каналом n-типа и диод с низким временем восстановления в стандартном корпусе с монтажными размерами всего 140 мм x 190 мм.
 
Новый модуль рассчитан на эксплуатацию при значительно более высоких значениях тока в устройствах класса 4500 В. Он также позволяет экономить энергию, пространство и вес при проектировании преобразователей и инверторов большой мощности и систем управления электродвигателями.
 
Максимальное напряжение изоляции MG1200GXH1SU61 составляет 6000 В переменного тока (среднеквадратичное значение в течение одной минуты), а пиковый запираемый ток коллектора может достигать 2400 А. Рассеиваемая мощность на коллекторе составляет 4000 Вт при 25 °C. Диапазон рабочих температур от -40 до +150 °C допускает применение устройства в широком диапазоне температур, характерном для установок высокого напряжения.

Автор: Татьяна

Рубрики: Оборудование

наверх
 
 
     

А знаете ли Вы что?

     
   
     


Copyright 2004 nnIT. Все права защищены
Перепечатка материалов приветствуется при ссылке на www.nnIT.nnit.ru
Ресурс разработан и поддерживается компанией Peterlink Web